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東芝デバイス&ストレージ株式会社 日本

MOSFET選びにお困りですか?

MOSFETを使用した回路設計の前に知っておきたい重要なデータシート上のパラメーターの見方と、データシートだけではわからない破壊発生のメカニズムと対応策について、セット設計者の視点で3つの資料にまとめました。ご用途に応じてお選びください。

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MOSFETの選び方、基本的な動作から
パラメーターの見方まで(全23ページ)

内容

MOSFETを選ぶ場合、用途に応じて適切な定格、特性を持つ製品を選ぶ必要があります。設計時、どのMOSFETを使うかを悩んだ時、データシートのパラメーターの見方を知っておくと適切なMOSFETの選び方が分かります。ここでは、そのパラメーターの見方を主に説明いたします。

  1. 構造と特徴について-横型/縦型D-MOSとU-MOS
  2. MOSFETのデータシート-データシートの見方・確認すべきパラメーターについて

データシートだけでは足りない、
設計現場で必要な事項をご説明(全28ページ)

内容

ありとあらゆるアプリケーションに使用されるMOSFETならではの、これだけは知っておいて欲しいポイントを、経験豊富なエンジニアが解説しています。回路設計の近道としてぜひご一読ください。

  1. 寄生発振・振動-スイッチング用途に使用する際の注意事項
  2. 並列接続-大電流で使用する際の注意事項
  3. 安全動作領域-温度依存性について/SOAディレーティング方法
  4. dv/dt 影響-発生ポイントについて/誤動作や破壊を避けるために

破壊発生のメカニズムを理解しましょう(全18ページ)

内容

なぜ破壊が発生するのか、理由となる現象をわかりやすくご説明します。 MOSFETが最終製品に組み込まれた際生じる可能性のある現象をあらかじめ知ることで、有効な回避策へと繋がります。

  1. アバランシェ降伏現象-動作原理と対策について
  2. セルフターンオン現象-動作原理と対策について
  3. ボディーダイオードの逆回復動作と破壊-原理説明
  4. MOSFET の二次降伏 (Second Breakdown: S/B)-原理説明

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