電力変換時に発生する電力損失の低減による高効率化のために、パワー半導体のさらなる性能改善が求められています。中でも高耐圧のパワー半導体であるIGBTは幅広いアプリケーションの電力変換システムに搭載されており、IGBTの電力損失の低減は、エネルギー利用効率向上の面からもカーボンニュートラルの実現に大きく貢献します。
東芝ではSi（シリコン）パワー半導体において、電力のオンとオフが切り替わるスイッチング時の電力損失を大幅に低減可能なトリプルゲートIGBTなどのマルチゲートIGBTを開発しました。独立に駆動させるゲートを2系統以上持つ新しいIGBTの技術について解説します。
＜こんな人におすすめ＞
・IGBTのスイッチング損失改善に課題をもつ設計者
・産業用のPV、UPSなど大型電源やモーターの設計者
・Si（シリコン）-IGBTの動向について知りたい方
プログラム
- IGBTの利点と課題
- マルチゲート（ダブルゲート・トリプルゲート）IGBTとアクティブゲート制御
- ゲートドライブ事例
- まとめ
開催概要
電力損失を大幅に低減 ～Si-IGBTのポテンシャルを引き出すマルチゲートIGBT技術～
| 配信期間 |
2022年9月7日 ～ 2023年9月6日 |
| 参加費 |
無料 |
| 主催 |
東芝デバイス&ストレージ
株式会社 |
注意事項
- 本Webセミナーは2022年9月7日に開催されたセミナーのオンデマンド版です。
- 同業他社様のご参加はご遠慮頂いております。
講演者
末代 知子
- 東芝デバイス&ストレージ株式会社
- 先端半導体デバイス開発センター
先端半導体デバイス技術戦略企画部
フェロー
入社以来、一貫してSi（シリコン）パワー半導体デバイスの研究開発に従事。横型SOIパワーIC、縦型Siダイオード、縦型IGBTの開発を担当。現在、トリプルゲートIGBTをはじめとするマルチゲートIGBTの開発に従事。工学博士。
